เซนเซอร์

จากวิกิพีเดีย สารานุกรมเสรี
ข้ามไปที่การนำทาง ข้ามไปที่การค้นหา
เซ็นเซอร์วัดแสงประเภทต่างๆ

ในความหมายที่กว้างเป็นเซ็นเซอร์เป็นอุปกรณ์โมดูลเครื่องหรือระบบย่อยที่มีวัตถุประสงค์เพื่อตรวจสอบเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นหรือการเปลี่ยนแปลงในสภาพแวดล้อมและส่งข้อมูลไปยังอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ บ่อยประมวลผลของคอมพิวเตอร์เซ็นเซอร์มักใช้กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ

เซ็นเซอร์ใช้ในวัตถุในชีวิตประจำวัน เช่น ปุ่มลิฟต์ที่ไวต่อการสัมผัส ( เซ็นเซอร์สัมผัส ) และโคมไฟที่หรี่หรือสว่างขึ้นเมื่อสัมผัสที่ฐาน นอกเหนือจากการใช้งานจำนวนมากที่คนส่วนใหญ่ไม่เคยรู้ มีความก้าวหน้าในmicromachineryและง่ายต่อการใช้งานไมโครคอนโทรลเลอร์แพลตฟอร์มการใช้เซ็นเซอร์ที่มีการขยายตัวเกินกว่าเขตข้อมูลแบบดั้งเดิมของอุณหภูมิความดันหรือไหลวัด[1]ตัวอย่างเช่นเข้าไปในเซ็นเซอร์ MARGนอกจากนี้ เซ็นเซอร์อะนาล็อก เช่นโพเทนชิโอมิเตอร์และตัวต้านทานแบบตรวจจับแรงยังคงใช้กันอย่างแพร่หลาย การใช้งานรวมถึงการผลิตและเครื่องจักร เครื่องบินและอวกาศ รถยนต์ ยารักษาโรค หุ่นยนต์ และด้านอื่นๆ อีกมากมายในชีวิตประจำวันของเรา มีเซ็นเซอร์อื่นๆ มากมายสำหรับวัดคุณสมบัติทางเคมีและกายภาพของวัสดุ ตัวอย่างบางส่วน ได้แก่ เซ็นเซอร์ออปติคัลสำหรับการวัดดัชนีการหักเหของแสง เซ็นเซอร์การสั่นสะเทือนสำหรับการวัดความหนืดของไหล และเซ็นเซอร์ไฟฟ้าเคมีสำหรับการตรวจสอบค่า pH ของของเหลว

ความไวของเซ็นเซอร์ระบุว่าเอาต์พุตของเซ็นเซอร์เปลี่ยนแปลงไปมากเพียงใดเมื่อปริมาณอินพุตที่วัดเปลี่ยนแปลง ตัวอย่างเช่น หากปรอทในเทอร์โมมิเตอร์เคลื่อนที่ 1 ซม. เมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลงไป 1 °C ความไวจะอยู่ที่ 1 ซม./°C (โดยพื้นฐานแล้วจะเป็นค่าความชันdy/dxโดยสมมติให้มีลักษณะเฉพาะเชิงเส้น) เซ็นเซอร์บางตัวอาจส่งผลต่อสิ่งที่วัดได้ ตัวอย่างเช่น เทอร์โมมิเตอร์อุณหภูมิห้องที่ใส่ลงในถ้วยของเหลวร้อนจะทำให้ของเหลวเย็นลงในขณะที่ของเหลวให้ความร้อนแก่เทอร์โมมิเตอร์ เซนเซอร์มักจะได้รับการออกแบบให้มีผลเพียงเล็กน้อยต่อสิ่งที่วัดได้ การทำให้เซ็นเซอร์มีขนาดเล็กลงมักจะช่วยปรับปรุงสิ่งนี้และอาจแนะนำข้อดีอื่นๆ[2]

ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีช่วยให้สามารถผลิตเซ็นเซอร์ในระดับจุลภาคเป็นไมโครเซ็นเซอร์ที่ใช้เทคโนโลยีMEMSได้มากขึ้น ในกรณีส่วนใหญ่ ไมโครเซนเซอร์จะใช้เวลาในการวัดเร็วขึ้นอย่างเห็นได้ชัดและมีความไวสูงกว่าเมื่อเทียบกับวิธีการแบบมหภาค [2] [3]เนื่องจากความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับข้อมูลที่รวดเร็ว ราคาไม่แพง และเชื่อถือได้ในโลกปัจจุบัน เซ็นเซอร์แบบใช้แล้วทิ้ง—อุปกรณ์ราคาถูกและใช้งานง่ายสำหรับการตรวจสอบระยะสั้นหรือการวัดแบบช็อตเดียว—มีการเติบโตเมื่อเร็วๆ นี้ ความสำคัญ ด้วยการใช้เซ็นเซอร์ประเภทนี้ ทุกคนสามารถรับข้อมูลการวิเคราะห์ที่สำคัญได้จากทุกที่และทุกเวลา โดยไม่จำเป็นต้องปรับเทียบใหม่และกังวลเกี่ยวกับการปนเปื้อน [4]

การจำแนกข้อผิดพลาดในการวัด

เซ็นเซอร์ที่ดีต้องปฏิบัติตามกฎต่อไปนี้: [4]

  • มีความไวต่อคุณสมบัติที่วัดได้
  • ไม่ไวต่อคุณสมบัติอื่นใดที่อาจพบในการใช้งานและ
  • ไม่ส่งผลต่อคุณสมบัติที่วัดได้

เซ็นเซอร์ส่วนใหญ่มีเส้นตรง ฟังก์ชั่นการถ่ายโอน ไวถูกกำหนดไว้แล้วเป็นอัตราส่วนระหว่างสัญญาณและทรัพย์สินที่วัด ตัวอย่างเช่น หากเซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิและมีแรงดันเอาต์พุต ความไวจะเป็นค่าคงที่กับหน่วย [V/K] ความไวคือความชันของฟังก์ชันการถ่ายโอน การแปลงเอาต์พุตทางไฟฟ้าของเซ็นเซอร์ (เช่น V) เป็นหน่วยที่วัดได้ (เช่น K) ต้องหารเอาท์พุตไฟฟ้าด้วยความชัน (หรือคูณด้วยส่วนกลับ) นอกจากนี้ มักจะเพิ่มหรือลบออฟเซ็ต ตัวอย่างเช่น ต้องเพิ่ม −40 ลงในเอาต์พุตหากเอาต์พุต 0 V ตรงกับอินพุต −40 C

สำหรับสัญญาณอะนาล็อกเซนเซอร์ที่จะประมวลผลหรือใช้ในอุปกรณ์ดิจิตอลจะต้องถูกแปลงเป็นสัญญาณดิจิตอลโดยใช้แบบอะนาล็อกเป็นดิจิตอลแปลง

การเบี่ยงเบนของเซ็นเซอร์

เนื่องจากเซ็นเซอร์ไม่สามารถจำลองฟังก์ชันการถ่ายโอนในอุดมคติได้จึงเกิดการเบี่ยงเบนหลายประเภทซึ่งจำกัดความแม่นยำของเซ็นเซอร์:

  • เนื่องจากช่วงของสัญญาณเอาท์พุตถูกจำกัดเสมอ สัญญาณเอาท์พุตจะถึงค่าต่ำสุดหรือสูงสุดในที่สุดเมื่อคุณสมบัติที่วัดได้เกินขีดจำกัด เต็มสเกลช่วงกำหนดสูงสุดและต่ำสุดค่าของทรัพย์สินที่วัด [ ต้องการการอ้างอิง ]
  • ไวอาจในการปฏิบัติแตกต่างจากค่าที่ระบุ สิ่งนี้เรียกว่าข้อผิดพลาดด้านความไว นี่เป็นข้อผิดพลาดในความชันของฟังก์ชันการถ่ายโอนเชิงเส้น
  • ถ้าสัญญาณที่แตกต่างจากค่าที่ถูกต้องโดยคงเซ็นเซอร์มีข้อผิดพลาดชดเชยหรืออคติ นี่เป็นข้อผิดพลาดในการสกัดกั้น yของฟังก์ชันการถ่ายโอนเชิงเส้น
  • ความไม่เชิงเส้นคือการเบี่ยงเบนของฟังก์ชันการถ่ายโอนของเซ็นเซอร์จากฟังก์ชันการถ่ายโอนเป็นเส้นตรง โดยปกติ ค่านี้กำหนดโดยปริมาณเอาต์พุตที่แตกต่างจากพฤติกรรมในอุดมคติตลอดช่วงทั้งหมดของเซ็นเซอร์ ซึ่งมักระบุเป็นเปอร์เซ็นต์ของช่วงเต็ม
  • การเบี่ยงเบนที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็วของคุณสมบัติที่วัดได้เมื่อเวลาผ่านไปเป็นข้อผิดพลาดแบบไดนามิก บ่อยครั้ง ลักษณะการทำงานนี้ถูกอธิบายด้วยพล็อตลางบอกเหตุซึ่งแสดงข้อผิดพลาดด้านความไวและการเลื่อนเฟสเป็นฟังก์ชันของความถี่ของสัญญาณอินพุตแบบเป็นระยะ
  • หากสัญญาณออกอย่างช้า ๆ การเปลี่ยนแปลงเป็นอิสระจากคุณสมบัติที่วัดนี้ถูกกำหนดให้เป็นดริฟท์ การเลื่อนลอยในระยะยาวเป็นเวลาหลายเดือนหรือหลายปีเกิดจากการเปลี่ยนแปลงทางกายภาพในเซ็นเซอร์
  • สัญญาณรบกวนเป็นการเบี่ยงเบนแบบสุ่มของสัญญาณที่แปรผันตามเวลา
  • hysteresisข้อผิดพลาดทำให้เกิดมูลค่าส่งออกจะแตกต่างกันขึ้นอยู่กับค่าที่ป้อนเข้าก่อนหน้านี้ หากเอาต์พุตของเซ็นเซอร์แตกต่างกันโดยขึ้นอยู่กับว่าค่าอินพุตที่เจาะจงเพิ่มขึ้นหรือลดลงหรือไม่ แสดงว่าเซ็นเซอร์มีข้อผิดพลาดฮิสเทรีซิส
  • หากเซ็นเซอร์มีเอาต์พุตดิจิทัล เอาต์พุตจะเป็นค่าประมาณของคุณสมบัติที่วัดได้ ข้อผิดพลาดนี้เรียกอีกอย่างว่าข้อผิดพลาดเชิงปริมาณ
  • หากตรวจสอบสัญญาณแบบดิจิทัลความถี่ในการสุ่มตัวอย่างสามารถทำให้เกิดข้อผิดพลาดแบบไดนามิก หรือหากตัวแปรอินพุตหรือสัญญาณรบกวนเพิ่มเติมเปลี่ยนแปลงเป็นระยะที่ความถี่ใกล้กับอัตราการสุ่มตัวอย่างหลายเท่าข้อผิดพลาดนามแฝงอาจเกิดขึ้นได้
  • เซ็นเซอร์อาจไวต่อคุณสมบัติอื่นนอกเหนือจากคุณสมบัติที่กำลังวัดในระดับหนึ่ง ตัวอย่างเช่น เซ็นเซอร์ส่วนใหญ่ได้รับอิทธิพลจากอุณหภูมิของสภาพแวดล้อม

การเบี่ยงเบนทั้งหมดเหล่านี้สามารถจัดเป็นข้อผิดพลาดของระบบหรือข้อผิดพลาดแบบสุ่ม ข้อผิดพลาดของระบบบางครั้งสามารถชดเชยด้วยวิธีการของชนิดของการสอบเทียบกลยุทธ์ สัญญาณรบกวนเป็นข้อผิดพลาดแบบสุ่มที่สามารถลดลงได้โดยการประมวลผลสัญญาณเช่น การกรอง โดยปกติแล้วจะส่งผลต่อพฤติกรรมแบบไดนามิกของเซ็นเซอร์

ความละเอียด

ความละเอียดเซ็นเซอร์หรือความละเอียดของการวัดคือการเปลี่ยนแปลงที่น้อยที่สุดที่สามารถตรวจพบในปริมาณที่มันจะถูกวัด ความละเอียดของเซ็นเซอร์ที่มีเอาต์พุตดิจิทัลมักจะเป็นความละเอียดตัวเลขของเอาต์พุตดิจิทัล ความละเอียดสัมพันธ์กับความแม่นยำในการวัด แต่ไม่เหมือนกัน ความแม่นยำของเซ็นเซอร์อาจแย่กว่าความละเอียดมาก

  • ยกตัวอย่างเช่นความละเอียดระยะคือระยะทางขั้นต่ำที่สามารถวัดได้อย่างถูกต้องโดยใด ๆอุปกรณ์วัดระยะทาง ในกล้องเวลาของเที่ยวบินที่ความละเอียดระยะทางที่มักจะเท่ากับค่าเบี่ยงเบนมาตรฐาน (เสียงทั้งหมด) ของสัญญาณที่แสดงในหน่วยของความยาว
  • เซ็นเซอร์อาจไวต่อคุณสมบัติอื่นนอกเหนือจากคุณสมบัติที่กำลังวัดในระดับหนึ่ง ตัวอย่างเช่น เซ็นเซอร์ส่วนใหญ่ได้รับอิทธิพลจากอุณหภูมิของสภาพแวดล้อม

เซ็นเซอร์เคมี

เซ็นเซอร์เคมีเป็นอุปกรณ์การวิเคราะห์ตนเองมีที่สามารถให้ข้อมูลเกี่ยวกับองค์ประกอบทางเคมีของสภาพแวดล้อมที่เป็นของเหลวหรือก๊าซ [5]ข้อมูลนี้มีให้ในรูปแบบของสัญญาณทางกายภาพที่วัดได้ซึ่งมีความสัมพันธ์กับความเข้มข้นของสารเคมีบางชนิด (เรียกว่าสารวิเคราะห์ ) สองขั้นตอนหลักที่มีส่วนเกี่ยวข้องในการทำงานของเซ็นเซอร์เคมีคือการรับรู้และพลังงานในขั้นตอนการรับรู้ โมเลกุลที่วิเคราะห์จะโต้ตอบอย่างเลือกสรรกับโมเลกุลของตัวรับหรือไซต์ที่รวมอยู่ในโครงสร้างขององค์ประกอบการรับรู้ของเซ็นเซอร์ ดังนั้น พารามิเตอร์ทางกายภาพที่มีลักษณะเฉพาะจะแตกต่างกันไป และการเปลี่ยนแปลงนี้จะถูกรายงานโดยใช้ทรานสดิวเซอร์ในตัวที่สร้างสัญญาณเอาท์พุต เซ็นเซอร์เคมีขึ้นอยู่กับวัสดุที่ได้รับการยอมรับของธรรมชาติทางชีวภาพเป็นไบโอเซนเซอร์ อย่างไรก็ตาม เนื่องจากวัสดุชีวเลียนแบบสังเคราะห์กำลังจะมาแทนที่วัสดุชีวภาพสำหรับการรับรู้ในระดับหนึ่ง ความแตกต่างที่เฉียบแหลมระหว่างเซ็นเซอร์ไบโอเซนเซอร์และเซ็นเซอร์ทางเคมีมาตรฐานจึงไม่จำเป็น วัสดุ biomimetic ทั่วไปที่ใช้ในการพัฒนาเซ็นเซอร์จะตราตรึงใจโมเลกุลโพลิเมอร์และaptamers

ไบโอเซนเซอร์

ในbiomedicineและเทคโนโลยีชีวภาพเซ็นเซอร์ที่ตรวจพบสารต้องขอบคุณองค์ประกอบทางชีวภาพเช่นเซลล์โปรตีนกรดนิวคลีอิกหรือโพลีเมอ biomimeticจะถูกเรียกว่าไบโอเซนเซอร์ขณะที่เซ็นเซอร์ที่ไม่ใช่ทางชีวภาพแม้อินทรีย์คาร์บอน (เคมี) สำหรับการวิเคราะห์ทางชีวภาพจะเรียกว่าเซ็นเซอร์หรือนาโนเซนเซอร์คำศัพท์นี้ใช้กับแอปพลิเคชันทั้งในหลอดทดลองและในร่างกาย การห่อหุ้มองค์ประกอบทางชีวภาพในไบโอเซนเซอร์ นำเสนอปัญหาที่แตกต่างออกไปเล็กน้อยที่เซนเซอร์ทั่วไป ซึ่งสามารถทำได้โดยใช้สิ่งกีดขวางแบบกึ่งซึมผ่านได้ เช่นเมมเบรนสำหรับการฟอกไตหรือ aไฮโดรเจลหรือเมทริกซ์พอลิเมอร์ 3 มิติ ซึ่งจำกัดทางกายภาพของโมเลกุลที่ตรวจจับได้หรือจำกัดทางเคมีของโมเลกุลโดยการผูกไว้กับโครงนั่งร้าน

เซ็นเซอร์ Neuromorphic

เซ็นเซอร์Neuromorphicเป็นเซ็นเซอร์ที่เลียนแบบโครงสร้างและหน้าที่ของเอนทิตีของระบบประสาททางชีวภาพ [6]ตัวอย่างหนึ่งคือกล้องเหตุการณ์

เซ็นเซอร์ MOS

เทคโนโลยีเมทัลออกไซด์-เซมิคอนดักเตอร์ (MOS) มีต้นกำเนิดมาจากMOSFET (MOS field-effect transistor หรือ MOS transistor) ที่คิดค้นโดยMohamed M. AtallaและDawon Kahngในปี 1959 และแสดงให้เห็นในปี 1960 [7]เซ็นเซอร์ MOSFET (เซ็นเซอร์ MOS) ได้รับการพัฒนาต่อมาและพวกเขามีตั้งแต่ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในการวัดทางกายภาพ , เคมี , ชีวภาพและสิ่งแวดล้อมพารามิเตอร์ [8]

เซ็นเซอร์ชีวเคมี

จำนวนของเซ็นเซอร์ MOSFET ได้รับการพัฒนาสำหรับการวัดทางกายภาพ , เคมี , ชีวภาพและสิ่งแวดล้อมพารามิเตอร์[8]ที่เก่าแก่ที่สุดเซ็นเซอร์ MOSFET รวมถึงการเปิดประตูสนามผลทรานซิสเตอร์ (OGFET) นำโดย Johannessen ในปี 1970 [8]ไอออนที่ไวต่อสนามผลทรานซิสเตอร์ (ISFET) คิดค้นโดยPiet Bergveldในปี 1970 [9]การดูดซับ FET (ADFET) ที่จดสิทธิบัตรโดย PF Cox ในปี 1974 และMOSFET ที่ไวต่อไฮโดรเจนแสดงให้เห็นโดย I. Lundstrom, MS Shivaraman, CS Svenson และ L. Lundkvist ในปี 1975 [8]ISFET เป็นชนิดพิเศษของ MOSFET กับประตูที่ระยะทางที่กำหนด, [8]และที่ประตูโลหะจะถูกแทนที่โดยไอออน -sensitive เมมเบรน , อิเล็กโทรไลวิธีการแก้ปัญหาและขั้วอ้างอิง [10] ISFET ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในทางการแพทย์การใช้งานเช่นการตรวจสอบของDNA hybridization , biomarkerการตรวจสอบจากเลือด , แอนติบอดีการตรวจสอบระดับน้ำตาลในการวัดค่า pHตรวจจับและเทคโนโลยีทางพันธุกรรม [10]

ในช่วงกลางทศวรรษ 1980 เซ็นเซอร์ MOSFET อื่นๆ ได้รับการพัฒนาขึ้นมากมาย รวมถึงเซ็นเซอร์ก๊าซ FET (GASFET), FET ที่เข้าถึงพื้นผิว (SAFET), ทรานซิสเตอร์การไหลของประจุ (CFT), เซ็นเซอร์ความดัน FET (PRESSFET), ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามเคมี ( ChemFET), ISFET อ้างอิง (REFET), ไบโอเซนเซอร์ FET (BioFET), FET ที่ดัดแปลงด้วยเอนไซม์ (ENFET) และ FET ที่ดัดแปลงทางภูมิคุ้มกัน (IMFET) [8]ในช่วงต้นยุค 2000 BioFET ประเภทต่างๆ เช่นDNA field-effect transistor (DNAFET), gene-modified FET (GenFET) และCell-potential BioFET (CPFET) ได้รับการพัฒนา [10]

เซ็นเซอร์ภาพ

เทคโนโลยี MOS เป็นพื้นฐานสำหรับการที่ทันสมัยเซ็นเซอร์ภาพรวมทั้งอุปกรณ์ชาร์จคู่ (CCD) และCMOS เซ็นเซอร์ที่ใช้งานพิกเซล (CMOS เซ็นเซอร์) ที่ใช้ในการถ่ายภาพดิจิตอลและกล้องดิจิตอล [11] Willard BoyleและGeorge E. Smith ได้พัฒนา CCD ในปี 1969 ขณะค้นคว้าเกี่ยวกับกระบวนการ MOS พวกเขาตระหนักว่าประจุไฟฟ้าเป็นการเปรียบเสมือนฟองแม่เหล็กและสามารถเก็บไว้ในตัวเก็บประจุขนาดเล็กของ MOS ได้ เนื่องจากมันค่อนข้างตรงไปตรงมาในการสร้างชุดตัวเก็บประจุ MOS เรียงเป็นแถว พวกเขาจึงเชื่อมต่อแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสมกับตัวเก็บประจุเพื่อให้สามารถประจุไฟฟ้าจากที่หนึ่งไปยังอีกที่หนึ่งได้(11)CCD วงจรเซมิคอนดักเตอร์ที่ถูกนำมาใช้เป็นครั้งแรกในกล้องวิดีโอดิจิตอลสำหรับการกระจายเสียงและโทรทัศน์ (12)

เซนเซอร์พิกเซลแอ็คทีฟ MOS (APS) ได้รับการพัฒนาโดย Tsutomu Nakamura ที่Olympusในปี 1985 [13]เซนเซอร์แอ็คทีฟพิกเซลแบบ CMOS ได้รับการพัฒนาในภายหลังโดยEric Fossumและทีมงานของเขาในช่วงต้นทศวรรษ 1990 [14]

เซ็นเซอร์ภาพ MOS ใช้กันอย่างแพร่หลายในเทคโนโลยีเมาส์แบบออปติคัล เมาส์ออปติคอลตัวแรกที่คิดค้นโดยRichard F. Lyonที่Xeroxในปี 1980 ใช้ชิปเซ็นเซอร์NMOS 5  µm [15] [16]ตั้งแต่ออปติคัลเมาส์เชิงพาณิชย์ตัวแรกIntelliMouseเปิดตัวในปี 2542 อุปกรณ์เมาส์ออปติคัลส่วนใหญ่ใช้เซ็นเซอร์ CMOS [17]

เซ็นเซอร์ตรวจสอบ

เซ็นเซอร์LidarบนiPad Pro [18]

MOS ตรวจสอบเซ็นเซอร์ที่ใช้สำหรับการตรวจสอบบ้าน , สำนักงานและการเกษตรการตรวจสอบการตรวจสอบการจราจร (รวมทั้งความเร็วของรถ , การจราจรติดขัดและเกิดอุบัติเหตุการจราจร ) สภาพอากาศการตรวจสอบ (เช่นฝนตก , ลม , ฟ้าผ่าและพายุ ), การป้องกันการตรวจสอบและการตรวจสอบอุณหภูมิ , ความชื้น , มลพิษทางอากาศ , อัคคีภัย , สุขภาพ , ความปลอดภัย และแสงสว่าง .[19] MOSเครื่องตรวจจับก๊าซเซ็นเซอร์ที่ใช้ในการตรวจจับก๊าซคาร์บอนมอนอกไซด์ ,ซัลเฟอร์ไดออกไซด์ ,ไฮโดรเจนซัลไฟด์ ,แอมโมเนียและอื่น ๆก๊าซสาร [20]เซ็นเซอร์ MOS อื่นๆ ได้แก่ เซ็นเซอร์อัจฉริยะ[21]และเทคโนโลยีเครือข่ายเซ็นเซอร์ไร้สาย (WSN) [22]

ดูเพิ่มเติม

อ้างอิง

  1. ^ เบนเน็ตต์ เอส. (1993). ประวัติความเป็นมาของวิศวกรรมควบคุม 1930-1955 ลอนดอน: Peter Peregrinus Ltd. ในนามของสถาบันวิศวกรไฟฟ้า ISBN 978-0-86341-280-6แหล่งที่มาระบุว่า "ควบคุม" มากกว่า "เซ็นเซอร์" ดังนั้นจึงถือว่ามีการบังคับใช้ หลายหน่วยได้มาจากการวัดพื้นฐานที่อ้างอิง เช่น ระดับของของเหลวที่วัดโดยเซ็นเซอร์ความดันดิฟเฟอเรนเชียลCS1 maint: postscript (link)
  2. ^ a b Jihong Yan (2015). เครื่องจักร Prognostics และการพยากรณ์โรค Oriented จัดการการบำรุงรักษา Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd. บจก. 107. ISBN 9781118638729.
  3. ^ พระพิฆเนศกุมาร (กันยายน 2010). ความรู้ทั่วไปสมัยใหม่ . อุปการ์ ปรากาชัน. NS. 194. ISBN 978-81-7482-180-5.
  4. อรรถเป็น Dincer ได้; บรูช ริชาร์ด; คอสตา-รามา, เอสเตฟาเนีย; Fernández-Abedul, มาเรีย เทเรซา; แมร์โกซี, อาร์เบน; มานซ์, อันเดรียส; เมืองเจอรัลด์แอนตัน; กูเดอร์, ฟีรัต (2019-05-15). "เซนเซอร์แบบใช้แล้วทิ้งในการวินิจฉัย อาหาร และการตรวจสอบสิ่งแวดล้อม" . วัสดุขั้นสูง 31 (30): 1806739. ดอย : 10.1002/adma.201806739 . ISSN 0935-9648 . PMID 31094032 .  
  5. ^ Bǎnicǎ, ฟลอริเนล-กาเบรียล (2012). เคมีและไบโอเซนเซอร์เซนเซอร์: ความรู้พื้นฐานและการประยุกต์ใช้ ชิเชสเตอร์ สหราชอาณาจักร: John Wiley & Sons NS. 576. ISBN 978-1-118-35423-0.
  6. ^ วานาร์ส อานุพ; ออสซีรัน, อดัม; รัสเซา, อเล็กซานเดอร์ (2016). "ทบทวน Neuromorphic ปัจจุบันแนวทางสำหรับวิสัยทัศน์หูและจมูกเซนเซอร์" พรมแดนในประสาทวิทยาศาสตร์ . 10 : 115. ดอย : 10.3389/fnins.2016.00115 . พีเอ็มซี 4809886 . PMID 27065784 .  
  7. ^ "1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) ทรานซิสเตอร์แสดงให้เห็นถึง" ซิลิคอนเครื่องยนต์: ระยะเวลาของอุปกรณ์กึ่งตัวนำในคอมพิวเตอร์ พิพิธภัณฑ์ประวัติศาสตร์คอมพิวเตอร์. สืบค้นเมื่อ31 สิงหาคม 2019 .
  8. ^ Bergveld ปิเอท (ตุลาคม 1985) "ผลกระทบของเซ็นเซอร์ MOSFET-based" (PDF) เซนเซอร์และแอคทูเอเตอร์ 8 (2): 109–127. Bibcode : 1985SeAc....8..109B . ดอย : 10.1016/0250-6874(85)87009-8 . ISSN 0250-6874 .  
  9. ^ คริสโทูมาซ; Pantelis Georgiou (ธันวาคม 2011) "40 ปีของเทคโนโลยี ISFET: จากการตรวจจับเส้นประสาทไปสู่การจัดลำดับดีเอ็นเอ" . อิเล็กทรอนิคส์จดหมาย สืบค้นเมื่อ13 พฤษภาคม 2559 .
  10. อรรถa b c Schöning, Michael J.; Poghossian, Arshak (10 กันยายน 2545) "ความก้าวหน้าล่าสุดในที่มีความสำคัญทางชีวภาพทรานซิสเตอร์สนามผล (BioFETs)" (PDF) นักวิเคราะห์ . 127 (9): 1137–1151. Bibcode : 2002Ana...127.1137S . ดอย : 10.1039/B204444G . ISSN 1364-5528 . PMID 12375833 .   
  11. อรรถเป็น วิลเลียมส์ เจบี (2017). การปฏิวัติ Electronics: ประดิษฐ์ในอนาคต สปริงเกอร์. หน้า 245 & 249. ISBN 9783319490885.
  12. ^ บอยล์ วิลเลียม เอส; สมิธ, จอร์จ อี. (1970). "ชาร์จอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ควบคู่". ระบบเบลล์ เทค เจ . 49 (4): 587–593. ดอย : 10.1002/j.1538-7305.1970.tb01790.x .
  13. ^ มัตสึโมโตะ คาซึยะ; และคณะ (1985). "โฟโต้ทรานซิสเตอร์ MOS ใหม่ที่ทำงานในโหมดการอ่านข้อมูลแบบไม่ทำลาย" วารสารฟิสิกส์ประยุกต์ญี่ปุ่น . 24 (5A): L323. Bibcode : 1985JaJAP..24L.323M . ดอย : 10.1143/JJAP.24.L323 .
  14. Eric R. Fossum (1993), "Active Pixel Sensors: Are CCD's Dinosaurs?" Proc. SPIE ฉบับที่ 1900 น. 2–14,อุปกรณ์ชาร์จคู่และเซ็นเซอร์ออปติคัลโซลิดสเตต III , Morley M. Blouke; เอ็ด.
  15. ลียง, ริชาร์ด เอฟ. (2014). "การ Optical Mouse: ในช่วงต้น Biomimetic แบบฝังวิสัยทัศน์" ความก้าวหน้าในการฝังตัวคอมพิวเตอร์วิสัยทัศน์ สปริงเกอร์. หน้า 3–22 (3). ISBN 9783319093871.
  16. ลียง ริชาร์ด เอฟ. (สิงหาคม 2524) "การ Optical Mouse และวิธีการทางสถาปัตยกรรมสำหรับสมาร์ทเซนเซอร์ดิจิตอล" (PDF) ใน HT Kung; โรเบิร์ต เอฟ. สเปลล์; Guy L. Steele (สหพันธ์). ระบบ VLSI และการคำนวณ วิทยาการคอมพิวเตอร์กด. หน้า 1–19. ดอย : 10.1007/978-3-642-68402-9_1 . ISBN  978-3-642-68404-3.
  17. ^ สมอง มาร์แชล; คาร์แมค, คาร์เมน (24 เมษายน 2000). "เมาส์คอมพิวเตอร์ทำงานอย่างไร" . HowStuffWorks . สืบค้นเมื่อ9 ตุลาคม 2019 .
  18. ^ "LiDAR กับ 3D ToF เซนเซอร์ - วิธีทำแอปเปิ้ลเป็น AR ที่ดีกว่าสำหรับมาร์ทโฟน" สืบค้นเมื่อ2020-04-03 .
  19. ^ Omura, Yasuhisa; มัลลิก, อภิจิตร; มัตสึโอะ, นาโอโตะ (2017). อุปกรณ์ MOS สำหรับแรงดันต่ำและการประยุกต์ใช้พลังงานต่ำ จอห์น ไวลีย์ แอนด์ ซันส์ . หน้า 3-4. ISBN 9781119107354.
  20. ^ ซัน เจี้ยนไห่; เกิ่ง Zhaoxin; Xue, หนิง; หลิว, ชุนซิ่ว; หม่า เทียนจุน (17 สิงหาคม 2018). "บูรณาการระบบมินิกับโลหะออกไซด์-Semiconductor เซนเซอร์และ Micro-บรรจุคอลัมน์แก๊สโครมา" ไมโครแมชชีน . 9 (8): 408. ดอย : 10.3390/mi9080408 . ISSN 2072-666X . พีเอ็มซี 6187308 . PMID 30424341 .   
  21. ^ ทุ่งหญ้า ช่างแกะสลักก.; อิสมาอิล, โมฮัมเหม็ด, สหพันธ์. (8 พฤษภาคม 1989). อะนาล็อก VLSI การดำเนินงานของระบบประสาท (PDF) Kluwer International Series ในสาขาวิศวกรรมและวิทยาการคอมพิวเตอร์ 80 . Norwell, MA: Kluwer วิชาการสำนักพิมพ์ ดอย : 10.1007/978-1-4613-1639-8 . ISBN  978-1-4613-1639-8.
  22. ^ Oliveira, Joao; Goes, João (2012). Parametric อะนาล็อกสัญญาณการขยายนำไปใช้กับนาโนเทคโนโลยี สปริงเกอร์วิทยาศาสตร์และธุรกิจสื่อ NS. 7. ISBN 9781461416708.

อ่านเพิ่มเติม

  • M. Kretschmar และ S. Welsby (2005), Capacitive and Inductive Displacement Sensors, ในคู่มือเทคโนโลยีเซนเซอร์, บรรณาธิการ J. Wilson, Newnes: Burlington, MA
  • CA Grimes, EC Dickey และ MV Pishko (2006) สารานุกรมเซ็นเซอร์ (ชุด 10 เล่ม) สำนักพิมพ์วิทยาศาสตร์อเมริกัน ISBN 1-58883-056-X 
  • Blaauw, FJ, Schenk, HM, Jeronimus, BF, van der Krieke, L., de Jonge, P., Aiello, M., Emerencia, AC (2016) ให้ของได้รับ Physiqual - วิธีการใช้งานง่ายและทั่วไปที่จะรวมเทคโนโลยีเซ็นเซอร์มีการประเมินผลชั่วขณะในระบบนิเวศ วารสารสารสนเทศชีวการแพทย์, ฉบับที่. 63, หน้า 141-149.